特許
J-GLOBAL ID：201603015134385179

半導体装置

発明者：
野村 匠

野村 匠 について

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小林 渉

小林 渉 について

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伊藤 修一

伊藤 修一 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-266327
公開番号（公開出願番号）：特開2014-112591
特許番号：特許第5987665号
出願日： 2012年12月05日
公開日（公表日）： 2014年06月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一面(11)と他面(12)とが表裏の関係にある半導体素子(10)と、 前記半導体素子の一面側、他面側にそれぞれ、電気的および熱伝導可能に接合され、前記半導体素子を挟む一対の金属板(20、30)と、 前記一対の金属板のそれぞれにおける外面(21、31)に設けられた電気絶縁性のセラミック板(40、50)と、 前記半導体素子、前記一対の金属板および前記セラミック板を包み込むように封止するモールド樹脂(60)と、を備え、 前記セラミック板の外面(41、51)が前記モールド樹脂から露出しており、 それぞれの前記セラミック板の端部に位置する側面(43、53)の少なくとも一部が、前記モールド樹脂により封止されており、 前記一対の金属板のそれぞれの側において、前記セラミック板の平面サイズは前記金属板の平面サイズよりも一回り小さく、前記セラミック板の端部全体が前記金属板の端部の内側に位置しており、 前記一対の金属板のそれぞれにおける外面と前記セラミック板の内面(42、52)との間には、前記金属板および前記セラミック板よりも軟らかい介在層(110、120)が、介在されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/56 ( 200 6.01) ,  H01L 23/34 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/56 T ,  H01L 23/34 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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