半導体製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三好秀和 , 伊藤正和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-206630
公開番号（公開出願番号）：特開2014-063794
特許番号：特許第6011191号
出願日： 2012年09月20日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板を搭載した基板ホルダを格納するチャンバーと、前記チャンバーの前記基板ホルダを囲む壁部を冷却する冷却機構と、前記基板ホルダの周囲を囲んで、前記チャンバーの前記壁部の前記基板ホルダに対向する壁面上の全面に渡って配置された断熱材と、前記断熱材の表面上に前記チャンバーの内部に露出して配置され、前記チャンバーの内部に温度差が生じることを抑制する熱反射板と、前記熱反射板で囲まれた領域内にプロセスガスを導入するガス供給装置と、前記基板ホルダに搭載された前記基板を加熱する加熱装置とを備え、前記断熱材と前記熱反射板とにより、前記チャンバー内における前記プロセスガスの濃度を均一化することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：