特許

J-GLOBAL ID：201603015201700947

ホウ素炭素膜をドライストリッピングする方法

発明者： リー, グァンドク ディー. ,  ラティ, スダ ,  サンカラクリッシュナン, ランプラカッシュ ,  シーモンズ, マーティン ジェー. ,  ジャミール, イルファン ,  キム, ボクホン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-510355
特許番号：特許第5933694号
出願日： 2012年04月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板から膜をストリッピングする方法であって、 ホウ素および炭素を約1:1から約3:1の間のホウ素対炭素の原子比で含む膜をその上に有する基板をチャンバ内に位置決めすることと、 前記膜を酸素イオンまたは酸素ラジカルおよび水素イオンまたは水素ラジカルに露出させて、前記ホウ素および炭素から1つまたは複数の揮発性化合物を生成することと、 前記1つまたは複数の揮発性化合物を前記チャンバから排気することと を含む方法。

IPC (1件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/302 104 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レジスト剥離装置、レジスト剥離方法、半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-329135   出願人：セイコーエプソン株式会社
• マスキング方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-523958   出願人：マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド