マスキング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 細川伸哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-523958
公開番号（公開出願番号）：特表2007-507091
出願日： 2004年08月12日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

本発明はマスキング方法を包含する。1つの実施において、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むマスキング材料が、半導体基板上に形成されたフィーチャーを覆って形成される。マスキング材料は少なくとも約0.5原子パーセントのホウ素を含む。マスキング材料は実質的に異方的にエッチングされ、ここでそのエッチングはホウ素ドープアモルファスカーボンを含む異方的にエッチングされたサイドウォールスペーサをフィーチャーのサイドウォール上に形成するのに有効である。次に、スペーサに最も近い基板が、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサをマスクとして用いながら加工される。スペーサに最も近い基板を加工した後、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサが基板からエッチングされる。他の実施および面も考えられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マスキング方法であって: ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むマスキング材料を半導体基板上に形成されたフィーチャーを覆って形成し、ここで上記マスキング材料は少なくとも約0.5原子パーセントのホウ素を含み; 上記マスキング材料を実質的に異方的にエッチングし、ここでそのエッチングは上記ホウ素ドープアモルファスカーボンを含む異方的にエッチングされたサイドウォールスペーサを上記フィーチャーのサイドウォール上に形成するのに有効であり; 上記のホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサを上記スペーサに最も近い基板を加工している間マスクとして使用し;そして基板の該加工後に、上記のホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサをその基板からエッチングする工程を含む上記の方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 , H01L 21/314 , H01L 29/78 , H01L 21/768 , H01L 21/28

FI (5件)：

H01L21/302 104H , H01L21/314 A , H01L29/78 301G , H01L21/90 C , H01L21/28 E

Fターム (38件)：

4M104DD07 , 4M104DD16 , 4M104HH14 , 5F004AA04 , 5F004DA26 , 5F004DB30 , 5F004EA01 , 5F004EA12 , 5F033KK01 , 5F033QQ07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ26 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033XX03 , 5F058AD10 , 5F058BC20 , 5F058BE04 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F140AA39 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG11 , 5F140BG18 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BG58 , 5F140BH15 , 5F140BK02 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK17

引用特許：

審査官引用 (5件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-307755 出願人：富士通株式会社
特開平4-303928
特開平4-221073

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