特許
J-GLOBAL ID：201603015542346548

出力バッファ及び半導体装置

発明者：
宮崎 真裕

宮崎 真裕 について

, 
橋立 修一

橋立 修一 について


出願人/特許権者：
ラピスセミコンダクタ株式会社

ラピスセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (3件)： 藤村 元彦 ,  永岡 重幸 ,  高野 信司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-164834
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027401
特許番号：特許第6027806号
出願日： 2012年07月25日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 入力信号に応答して電源電圧に対応した電圧値を有する出力信号を出力ラインを介して送出する出力バッファであって、 ソース端子に前記電源電圧が印加されており、ゲート端子に前記入力信号が供給されている第1MOSトランジスタと、 ドレイン端子が前記出力ラインに接続されており、ソース端子に前記第1MOSトランジスタのドレイン端子が接続されている第2MOSトランジスタと、 前記電源電圧に応じて変化しつつ前記第2MOSトランジスタをオン状態にし、且つ前記第2MOSトランジスタのゲート・ソース間電圧を一定にする電圧値を有するバイアス電圧を生成してこれを前記第2MOSトランジスタのゲート端子に供給するバイアス生成回路と、を有し、 前記バイアス生成回路は、前記電源電圧を分圧して夫々異なる複数の候補電圧を生成する分圧手段と、 前記複数の候補電圧の内から選択信号によって示される1つを選択しこれを基準電圧として送出するセレクタと、 前記基準電圧の電圧値を所定値だけ低下させる基準電圧調整手段と、 前記基準電圧調整手段によって調整の施された基準電圧を増幅した電圧を前記バイアス電圧として生成する増幅手段と、を含み、 前記セレクタは、前記電源電圧が許容範囲の下限電圧値の時に、前記基準電圧調整手段の調整によって前記基準電圧が所定の電圧値となるような前記候補電圧を選択することを特徴とする出力バッファ。
IPC (3件)：
H03K 19/0175 ( 200 6.01) ,  H03K 19/003 ( 200 6.01) ,  H03K 17/16 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H03K 19/00 101 F ,  H03K 19/003 Z ,  H03K 17/16 H
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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