特許
J-GLOBAL ID：201603015549490512
半導体装置、およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠彦
, 山口 昭則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-062885
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197314
特許番号：特許第5874471号
出願日： 2012年03月19日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された素子分離領域と、
前記半導体基板において、前記素子分離領域で画成される素子領域と、
前記半導体基板において、前記素子分離領域に連続して形成され、前記素子領域を活性領域とタップ領域とに分割する絶縁膜領域と、
前記絶縁膜領域において前記素子分離領域と連続して形成され、前記素子分離領域の下端よりも、前記半導体基板の表面から浅い位置に下端を有する第1の絶縁膜領域部分と、
前記絶縁膜領域において前記素子分離領域と連続して形成され、前記素子分離領域の下端よりも、前記半導体基板の表面から浅い位置に下端を有する第2の絶縁膜領域部分と、
前記絶縁膜領域の、前記第1の絶縁膜領域部分と前記第2の絶縁膜領域部分との間に連続して形成され、第1の絶縁膜領域部分の下端及び第2の絶縁膜領域部分の下端よりも、前記半導体基板の表面から浅い位置に下端を有する第3の絶縁膜領域部分と、
前記活性領域上及び前記絶縁膜領域上に形成され、前記タップ領域と電気的に接続するゲート電極と、
前記ゲート電極の相対向する第1および第2の側壁面上にそれぞれ形成された第1および第2の側壁絶縁膜と、
前記半導体基板に形成され、前記ゲート電極に沿って前記活性領域から前記タップ領域に前記絶縁膜領域の下を通して連続し、第1の導電型を有するボディと、
前記活性領域において、前記ゲート電極を挟んで形成され、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する拡散領域と、を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 27/08 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/088 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
, H01L 21/762 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 X
, H01L 27/08 331 A
, H01L 27/08 102 D
, H01L 27/08 102 B
, H01L 27/08 102 C
, H01L 29/78 626 Z
, H01L 29/78 626 C
, H01L 21/76 L
, H01L 21/76 D
, H01L 29/78 622
