スタックされたメモリ要素を有する半導体デバイスおよび半導体デバイス上にメモリ要素をスタックする方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：村山靖彦 , 黒田晋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-026651
公開番号（公開出願番号）：特開2016-149556
出願日： 2016年02月16日
公開日（公表日）： 2016年08月18日
要約：

【課題】半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイスは、基板に結合されるダイと、基板に反対のダイの表面に結合される第1のメモリデバイスと、第2のメモリデバイスが第1のメモリデバイスに少なくとも部分的に重なるように、基板に反対のダイの表面と第2のメモリデバイスとの間に結合される結合デバイスとを含む。少なくとも部分的に重なる仕方で、ダイ上に第1および第2のメモリデバイスを搭載する方法が、やはり開示される。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板に結合されたダイと、前記基板の反対側の前記ダイの上面に結合された第1のメモリデバイスと、前記基板の反対側の前記ダイの上面と第2のメモリデバイスとの間に結合された結合デバイスであって、該結合デバイスが該結合デバイスの上面から該結合デバイスの底面まで延伸する結合デバイス貫通ビアを有し、前記第2のメモリデバイスが前記第1のメモリデバイスと少なくとも部分的に重なる、結合デバイスと、前記ダイと前記第1のメモリデバイス及び前記結合デバイスとの間の再分配層であって、前記第1のメモリデバイス及び前記結合デバイスの結合を容易にする再分配層とを備えた半導体デバイス。

IPC (9件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (6件)：

H01L25/08 C , H01L27/10 447 , H01L27/10 495 , H01L25/08 H , H01L25/08 D , H01L21/88 J

Fターム (11件)：

4M119KK16 , 5F033MM30 , 5F033VV07 , 5F033VV16 , 5F033XX19 , 5F083AD00 , 5F083BS00 , 5F083CR00 , 5F083EP00 , 5F083FZ10 , 5F083ZA23

引用特許：

出願人引用 (6件)

モジュール半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-306079 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ, エルピーダメモリ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-300419 出願人：スパンションエルエルシー
積層モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-069700 出願人：オリンパス株式会社

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審査官引用 (6件)

モジュール半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-306079 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ, エルピーダメモリ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-300419 出願人：スパンションエルエルシー
積層モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-069700 出願人：オリンパス株式会社

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