希土類錯体及びその製造方法、並びにプラスチック成形体

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 沖田英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-046001
公開番号（公開出願番号）：特開2016-166140
出願日： 2015年03月09日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：

【課題】高い耐熱性を有するとともに、長波長の光によっても効率的に発光が可能な希土類錯体及びその製造方法の提供。【解決手段】三価の希土類イオンと、該希土類イオンに配位している配位子と、を有する希土類錯体。式(1)で表されるアニオン基、及び/又は2つ以上のカルボキシラート基を有する酸アニオン配位子と、エノラート基を有するエノラート配位子と、を含む配位子。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

三価の希土類イオンと、該希土類イオンに配位している配位子と、を有する希土類錯体であって、前記配位子が、下記式(1):

IPC (7件)：

C07F 9/30 , C09K 11/06 , C07F 5/00 , C07F 9/657 , C07C 49/92 , C08K 13/02 , C08L 101/00

FI (7件)：

C07F9/30 , C09K11/06 , C07F5/00 D , C07F9/6574 Z , C07C49/92 , C08K13/02 , C08L101/00

Fターム (37件)：

4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB92 , 4H048AA01 , 4H048AA03 , 4H048AB92 , 4H048VA70 , 4H048VB10 , 4H050AA01 , 4H050AA03 , 4H050AB92 , 4J002AA001 , 4J002BB031 , 4J002BB121 , 4J002BD041 , 4J002BD121 , 4J002BD151 , 4J002CB001 , 4J002CC031 , 4J002CC211 , 4J002CD001 , 4J002CF001 , 4J002CF161 , 4J002CF211 , 4J002CG001 , 4J002CL001 , 4J002CM041 , 4J002CN011 , 4J002CN021 , 4J002CN031 , 4J002DA116 , 4J002EE046 , 4J002EW126 , 4J002EW136 , 4J002EW146 , 4J002FD206 , 4J002GG01

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