特許
J-GLOBAL ID：201603015821982918

非晶質炭素粒子の製造方法

発明者：
井尻 真樹子

井尻 真樹子 について

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芳賀 隆太

芳賀 隆太 について

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塩出 哲夫

塩出 哲夫 について

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長山 勝博

長山 勝博 について


出願人/特許権者：
JFEケミカル株式会社

JFEケミカル株式会社 について


代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-005950
公開番号（公開出願番号）：特開2016-056095
出願日： 2016年01月15日
公開日（公表日）： 2016年04月21日
要約：
【課題】電解液との反応性を抑制しつつ、プレス性および導電性に優れる非晶質炭素粒子を得る。【解決手段】非晶質炭素の前駆体に黒鉛質粒子を添加混合した後に架橋処理を施して第1の架橋処理品を得る、または、非晶質炭素の前駆体に架橋処理を施した後に黒鉛質粒子を添加混合して第2の架橋処理品を得る工程と、前記第1または第2の架橋処理品に不融化処理を施して不融化処理品を得る不融化処理工程と、前記不融化処理品に1000〜1300°Cの温度で焼成を行うことにより粒子内に前記黒鉛質粒子を内包する非晶質炭素粒子を得る工程と、を備える非晶質炭素粒子の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
非晶質炭素の前駆体に黒鉛質粒子を添加混合した後に架橋処理を施して第1の架橋処理品を得る、または、非晶質炭素の前駆体に架橋処理を施した後に黒鉛質粒子を添加混合して第2の架橋処理品を得る工程と、 前記第1または第2の架橋処理品に不融化処理を施して不融化処理品を得る不融化処理工程と、 前記不融化処理品に1000〜1300°Cの温度で焼成を行うことにより粒子内に前記黒鉛質粒子を内包する非晶質炭素粒子を得る工程と、 を備える非晶質炭素粒子の製造方法。
IPC (2件)：
C01B 31/02 ,  H01M 4/587
FI (2件)：
C01B31/02 101B ,  H01M4/587
Fターム (43件)：
4G146AA01 ,  4G146AA02 ,  4G146AA19 ,  4G146AB01 ,  4G146AC07B ,  4G146AC22A ,  4G146AC22B ,  4G146AC27A ,  4G146AD02 ,  4G146AD23 ,  4G146AD25 ,  4G146BA22 ,  4G146BB02 ,  4G146BB03 ,  4G146BB04 ,  4G146BB06 ,  4G146BB11 ,  4G146BB12 ,  4G146BC03 ,  4G146BC07 ,  4G146BC23 ,  4G146BC24 ,  4G146BC32B ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  5H050AA02 ,  5H050AA08 ,  5H050AA13 ,  5H050AA19 ,  5H050CA02 ,  5H050CA07 ,  5H050CA11 ,  5H050CA16 ,  5H050CA29 ,  5H050CB07 ,  5H050CB08 ,  5H050CB29 ,  5H050GA02 ,  5H050GA10 ,  5H050HA01 ,  5H050HA08 ,  5H050HA14
引用特許：
出願人引用 (7件)
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