特許
J-GLOBAL ID:201603015911661827

有機EL素子の電極膜形成方法、有機EL素子の電極膜形成装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-049466
公開番号(公開出願番号):特開2013-186969
特許番号:特許第5976344号
出願日: 2012年03月06日
公開日(公表日): 2013年09月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】 電子注入層の表面に電極膜を形成する有機EL素子の電極膜形成方法であって、 表面に前記電子注入層が露出する成膜対象物を真空雰囲気中に配置し、坩堝内のAlを800°C以下の温度に加熱して溶融させ、液体のAlから蒸気を発生させ、前記蒸気を前記真空雰囲気中に放出させ、前記電子注入層の表面にAl膜を形成するAl膜形成工程と、 前記Al膜の表面に、スパッタ法により金属電極膜を形成する金属電極膜形成工程と、 を有する有機EL素子の電極膜形成方法。
IPC (3件):
H05B 33/10 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/26 ( 200 6.01)
FI (3件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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