特許
J-GLOBAL ID：201603016224535575

ガス分配を行なう装置および基板処理装置

発明者：
サブリ・モハメド

サブリ・モハメド について

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リンガンパリ・ランキシャン・ラオ

リンガンパリ・ランキシャン・ラオ について

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リーサー・カール・エフ.

リーサー・カール・エフ. について


出願人/特許権者：
ノべラス・システムズ・インコーポレーテッド

ノべラス・システムズ・インコーポレーテッド について


代理人 (2件)： 特許業務法人明成国際特許事務所 ,  下出 隆史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-556661
特許番号：特許第5933602号
出願日： 2012年03月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 装置であって、 プロセスチャンバの基板処理シャワーヘッドのためのセラミック面板であって、第1のパターンの第1の貫通孔を含むセラミック面板と、 第2のパターンの第2の貫通孔を含む電極と、 それぞれが導電性である1本以上の支持棒を備える導電性の接触リングであって、前記接触リングと共に互いに電気的に導電された接触リングと、 を備え、 前記電極は、前記セラミック面板に埋め込まれており、前記第2のパターンは、前記第1のパターンに一致し、 前記第1のパターンは、前記セラミック面板が前記プロセスチャンバの前記基板処理シャワーヘッドにインストールされた場合、前記セラミック面板を通してプロセスガスが流れるスルーホールの全てを含み、 前記各第2の貫通孔は、前記対応する第1の貫通孔よりも大きいサイズであり、 前記接触リングは、前記第1のスルーホールの前記第1のパターンを取り囲み、 前記セラミック面板は、前記電極を終端とする1つ以上の支持棒止まり穴を備え、 前記支持棒は、前記各支持棒止まり穴に装着され、前記電極に電気的に導通し、 前記電極は、前記セラミック面板が前記プロセスチャンバの前記基板処理シャワーヘッドに装着されたときに、プラズマ発生のためのRF源のアノードまたはカソードのいずれかを構成する 装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01) ,  C23C 16/455 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/302 101 G ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A ,  C23C 16/455
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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