特許
J-GLOBAL ID:201603016269288153
素子搭載用基板、半導体モジュールおよび素子搭載用基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
森下 賢樹
, 宗田 悟志
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-535885
特許番号:特許第5999376号
出願日: 2012年09月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】 金属基板と、
前記金属基板の表面が酸化されてなる酸化膜と、
前記金属基板の一方の主表面側の前記酸化膜上に設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上に設けられた配線層と、を備え、
少なくとも一部の前記酸化膜の膜厚が他の部分の前記酸化膜の膜厚よりも厚く、
前記酸化膜の膜厚が他より厚い部分において、前記金属基板の一方の主表面に凹凸が形成されていることを特徴とする素子搭載用基板。
IPC (5件):
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 25/04 ( 201 4.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 23/36 ( 200 6.01)
, H05K 1/05 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 23/12 J
, H01L 25/04 Z
, H01L 23/36 C
, H05K 1/05 A
引用特許:
出願人引用 (4件)
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回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-170561
出願人:三洋電機株式会社
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電気回路用アルミニウムベース放熱基板及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-297440
出願人:住友金属鉱山株式会社
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特開平2-129989
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特開平2-249293
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審査官引用 (4件)