特許
J-GLOBAL ID:201603016311453747
圧縮成形又はラミネート用ホットメルト型硬化性シリコーン組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 鈴木 三義
, 村山 靖彦
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-549798
公開番号(公開出願番号):特表2016-504461
出願日: 2013年12月20日
公開日(公表日): 2016年02月12日
要約:
本発明は、圧縮成形又はラミネート用のホットメルト性を有する硬化性シリコーン組成物、及び、当該組成物を含む少なくとも1つの層を備える積層体、並びに、これらを使用した半導体デバイス及びその製造方法に関する。本発明により、半球状のレンズ又ドーム形状の封止体を備えた半導体デバイスを効率的に製造することができる。また、本発明では、封止体の形状制御が容易であり、更に、封止体が泡を含むことがない。そして、本発明では、半導体デバイスの封止体以外の被覆層の厚みを容易に制御することができる。
請求項(抜粋):
圧縮成形又はラミネート用ホットメルト型硬化性シリコーン組成物。
IPC (5件):
C08L 83/07
, C08L 83/05
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, B32B 27/00
FI (5件):
C08L83/07
, C08L83/05
, H01L23/30 F
, H01L23/30 B
, B32B27/00 101
Fターム (50件):
4F100AA01A
, 4F100AA17
, 4F100AA19A
, 4F100AA20A
, 4F100AA21A
, 4F100AA34A
, 4F100AK52A
, 4F100AK52B
, 4F100AK52C
, 4F100AL02B
, 4F100AL02C
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100CA13A
, 4F100DE01A
, 4F100JB13
, 4F100JB14
, 4F100JL02
, 4F100JN13
, 4F100JN18
, 4F100YY00A
, 4F100YY00B
, 4F100YY00C
, 4J002CP04X
, 4J002CP12W
, 4J002DE096
, 4J002DE136
, 4J002DE146
, 4J002DE186
, 4J002DF017
, 4J002DG027
, 4J002DG037
, 4J002DH047
, 4J002DJ007
, 4J002DJ016
, 4J002DK007
, 4J002FD207
, 4J002GQ00
, 4M109AA02
, 4M109CA21
, 4M109CA22
, 4M109EA10
, 4M109EB04
, 4M109EB12
, 4M109EB18
, 4M109EC20
, 4M109EE12
, 4M109GA01
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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