特許

J-GLOBAL ID：201603017069505300

結晶性積層構造体の製造方法および半導体装置

発明者： 織田 真也 ,  高塚 章夫 ,  人羅 俊実
出願人/特許権者： 株式会社FLOSFIA
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-195871
公開番号（公開出願番号）：特開2016-064961
出願日： 2014年09月25日
公開日（公表日）： 2016年04月28日
要約：

【課題】半値幅が低く、半導体特性に優れたβ-Ga2O3系膜を有する積層構造体の製造方法を提供する。【解決手段】原料溶液24aを微粒子化して生成される原料微粒子をキャリアガス22によって成膜室27に供給して成膜室内27に配置された下地基板20上に、結晶性酸化物薄膜を結晶成長により形成する結晶性積層構造体の製造方法であって、下地基板20が、その表面の一部又は全部にβ-ガリア構造を有する結晶物を主成分として含み、前記結晶性酸化物薄膜が、β-ガリア構造を有する結晶性酸化物β-Ga2O3を主成分として含む、結晶性積層構造体の製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子をキャリアガスによって成膜室に供給して前記成膜室内に配置された下地基板上に、結晶性酸化物薄膜を結晶成長により形成する結晶性積層構造体の製造方法であって、前記下地基板が、その表面の一部または全部にβ-ガリア構造を有する結晶物を主成分として含み、前記結晶性酸化物薄膜が、β-ガリア構造を有する結晶性酸化物を主成分として含むことを特徴とする結晶性積層構造体の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/16 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00

FI (3件)：

C30B29/16 ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B

Fターム (18件)：

4G077AA03 ,  4G077AB08 ,  4G077BB10 ,  4G077CB02 ,  4G077CB08 ,  4G077EA07 ,  4G077EC04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077KA01 ,  4G077KA05 ,  4G077KA07 ,  4G077KA15 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特許第5397794号
  
• ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-164748   出願人：公立大学法人高知工科大学