特許

J-GLOBAL ID：201603017275778240

半導体装置

発明者： 青井 佐智子 ,  渡辺 行彦 ,  添野 明高 ,  鈴木 巨裕
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-282290
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127555
特許番号：特許第5852555号
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体層の表面に露出する露出部分を有する第1導電型のドリフト領域と、 前記ドリフト領域の前記露出部分を間に置いて設けられている第2導電型のボディ領域と、 前記ボディ領域によって前記ドリフト領域から隔てられている第1導電型のソース領域と、 前記半導体層の前記表面から前記ボディ領域を貫通しており、前記ドリフト領域と前記ソース領域を隔てている前記ボディ領域に対向するトレンチゲート部と、 前記ドリフト領域の前記露出部分にショットキー接触するショットキー電極と、 前記ショットキー電極の底面に接する絶縁領域と、を備えており、 前記ドリフト領域の前記露出部分に溝が形成されており、 前記ショットキー電極が前記溝内に設けられている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 657 D ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 D

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-100367
  
• ショットキーバリア半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106138   出願人：株式会社村田製作所

審査官引用 (3件)

• 特開平2-100367
  
• 特開平2-100367
  
• ショットキーバリア半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106138   出願人：株式会社村田製作所