半導体薄膜構造及びその形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 大貫進介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-509253
特許番号：特許第5944489号
出願日： 2012年05月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に犠牲層パターンを形成する段階と、前記犠牲層パターン上に無機物薄膜を形成する段階と、前記基板及び無機物薄膜で定義される互いに分離された複数の空間が形成されるように、前記無機物薄膜が形成された基板から前記犠牲層パターンを取り除く段階と、前記基板と無機物薄膜上に窒化物半導体薄膜を形成する段階と、を含み、前記窒化物半導体薄膜にかかる応力、前記窒化物半導体薄膜からの光抽出量及び放出パターンのうち少なくともいずれか一つを調節するために、前記空間の形状とサイズ、及び2次元的な配列のうち少なくともいずれか一つを調節することを特徴とする半導体薄膜構造の形成方法。

IPC (3件)：