特許
J-GLOBAL ID：201003069695535810

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
山田 敦史

山田 敦史 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-042951
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199321
出願日： 2009年02月25日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：
【課題】ゲートリーク電流の増加及び出力の低下を抑制しながら、コンタクト抵抗を低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】電子走行層3aと、電子走行層3a上方に形成された電子供給層4b、5bと、電子供給層4b、5b上方に形成されたゲート電極11gと、ゲート電極11gを間に挟んで形成され、電子走行層3aに電圧を印加するソース電極11s及びドレイン電極11dと、ソース電極11sと電子走行層3aとの間の電流経路に位置し、ソース電極11sと接する第1の化合物半導体層6bと、ドレイン電極11dと電子走行層3aとの間の電流経路に位置し、ドレイン電極11dと接する第2の化合物半導体層6bと、が設けられている。電子走行層3aの表面は(0001)面であり、第1の化合物半導体層6b及び第2の化合物半導体層6bの表面は(000-1)面である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子走行層と、 前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、 前記電子供給層上方に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極を間に挟んで形成され、前記電子走行層に電圧を印加するソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記電子走行層との間の電流経路に位置し、前記ソース電極と接する第1の化合物半導体層と、 前記ドレイン電極と前記電子走行層との間の電流経路に位置し、前記ドレイン電極と接する第2の化合物半導体層と、 を有し、 前記電子走行層の表面は(0001)面であり、 前記第1の化合物半導体層及び前記第2の化合物半導体層の表面は(000-1)面であることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/50 J ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/48 F
Fターム (42件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104EE06 ,  4M104EE17 ,  4M104FF11 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH17 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS09 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11
引用特許：
出願人引用 (2件)

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