金属めっき皮膜を有する半導体基材およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：赤松善弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-162165
公開番号（公開出願番号）：特開2014-019933
特許番号：特許第5965235号
出願日： 2012年07月21日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基材に金属めっきを施すことによって金属めっき皮膜を有する半導体基材を製造する方法であって、前記半導体基材としてシリコン基材およびシリコンカーバイド基材から選ばれた半導体基材を用い、純度が70%以上であり、温度が0〜100°Cであるフッ素ガスを用いて0.1〜60kPaの減圧下で当該フッ素ガスと半導体基材とを接触させて半導体基材の表面を改質させ、当該半導体基材と水を必須成分として含有する3〜95°Cの水性媒体とを10〜90分間接触させた後、当該半導体基材に金属めっきを施すことを特徴とする金属めっき皮膜を有する半導体基材の製造方法。

IPC (1件)：