特許
J-GLOBAL ID：201603018158936078
ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
, 正木 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-128725
公開番号（公開出願番号）：特開2016-035559
出願日： 2015年06月26日
公開日（公表日）： 2016年03月17日
要約：
【課題】耐薬品性に優れ、光学特性の面内均一性を改善することができ、所定の位相差を確保した上で、面内均一性が良好なハーフトーン位相シフト膜を有するフォトマスクブランクを提供する。【解決手段】透明基板上に、ケイ素及び窒素、又はケイ素、窒素及び酸素からなるハーフトーン位相シフト膜を有し、ハーフトーン位相シフト膜が、波長200nm以下の光に対する位相差が150〜200°であり、かつ式(1)2×O/Si+3×N/Si≧3.5(式中、Siはケイ素の含有率(原子%)、Nは窒素の含有率(原子%)、Oは酸素の含有率(原子%)を表す。)を満たす単層、又は式(1)を満たす層を1層以上含む多層で構成されている。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
透明基板上に、ケイ素及び窒素、又はケイ素、窒素及び酸素からなるハーフトーン位相シフト膜を有し、
該ハーフトーン位相シフト膜が、波長200nm以下の光に対する位相差が150〜200°であり、かつ下記式(1)
2×O/Si+3×N/Si≧3.5 (1)
(式中、Siはケイ素の含有率(原子%)、Nは窒素の含有率(原子%)、Oは酸素の含有率(原子%)を表す。)
を満たす単層、又は上記式(1)を満たす層を1層以上含む多層で構成されていることを特徴とするハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
2H195BA01
, 2H195BA07
, 2H195BB03
, 2H195BB10
, 2H195BB25
, 2H195BB30
, 2H195BC05
, 2H195BC24
