特許
J-GLOBAL ID：201603018428972527
光半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
藤枡 裕実
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
, 立石 英之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-096717
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225576
特許番号：特許第5998609号
出願日： 2012年04月20日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光半導体素子と、前記光半導体素子と接続される光半導体装置用リードフレームと、前記光半導体素子を封止し前記光半導体素子が発する光の少なくとも一部を透過する透光性樹脂と、前記光半導体素子が発する光の少なくとも一部を反射する底側反射板と、を備える光半導体装置であって、
前記光半導体装置用リードフレームは、電極部と側壁部を有し、前記電極部と前記側壁部は互いに隔離されており、
前記電極部は、前記光半導体装置を構成する形態において前記光半導体素子の上に位置し、かつ、前記底側反射板と対向する側に前記光半導体素子が搭載される面を有し、
前記側壁部は、前記光半導体装置を構成する形態において前記光半導体素子を平面視で囲むように配設されており、
前記側壁部の前記底側反射板側の面は、前記電極部の前記光半導体素子が搭載される面よりも前記底側反射板側に位置し、
前記底側反射板は、前記光半導体装置を構成する形態において前記光半導体素子の下に位置し、かつ、前記電極部と対向する側に光反射面を有し、
前記光反射面の前記光半導体素子が発する光に対する反射率が、
前記電極部の前記光半導体素子が搭載される面の前記光半導体素子が発する光に対する反射率よりも高いことを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
前のページに戻る
