特許

J-GLOBAL ID：201603018477832285

バンド間位相差ソリトンの発生方法

発明者： 田中 康資 ,  柳澤 孝 ,  長谷 泉 ,  有沢 俊一 ,  西尾 太一郎 ,  加藤 岳
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  学校法人東京理科大学
代理人 (3件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-044214
公開番号（公開出願番号）：特開2016-164907
出願日： 2015年03月06日
公開日（公表日）： 2016年09月08日
要約：

【課題】外部磁場や制御性の乏しい非平衡電流を用いることなく、また、電流を遮断しても安定して存在するバンド間位相差ソリトンの発生方法を提供する。【解決手段】多バンド超伝導膜からなる線路13に、線路13の両端側に設けられた太幅部131と、太幅部131よりも線幅が細く、各電極11,12に接続した太幅部131間を接続する細幅部132と、細幅部132よりも線幅が細く、細幅部132の一部分に設けられた狭細部133とを備え、細幅部132に流れる電流により狭細部133の超伝導性を壊して常伝導状態にする第1過程と、狭細部133の超伝導性を壊した電流が流れる細幅部132にバンド間位相差を生じさせる第2過程と、細幅部132に流れる電流を減流し、狭細部133の超伝導性を回復させる第3過程と、狭細部133の超伝導性を回復させた後、電流を遮断して線路13にバンド間位相差ソリトン200を残留させる第4過程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

多バンド超伝導膜からなる線路に、 前記線路の両端側に設けられ、外部から電流を供給する各電極とそれぞれ接続する複数の太幅部と、 前記太幅部よりも線幅が細く、前記太幅部間を接続する細幅部と、 前記細幅部よりも線幅が細く、該細幅部の一部分に設けられた狭細部と、 を備え、 前記線路に前記外部から電流を供給し、前記細幅部に流れる電流により前記狭細部の超伝導性を壊して常伝導状態にする第1過程と、 前記狭細部の超伝導性を壊した電流が流れる前記細幅部にバンド間位相差を生じさせる第2過程と、 前記細幅部に流れる電流を減流し、前記狭細部の超伝導性を回復させる第3過程と、 前記狭細部の超伝導性を回復させた後、前記電流を遮断して前記線路にバンド間位相差ソリトンを残留させる第4過程と、 を有することを特徴とするバンド間位相差ソリトンの発生方法。

IPC (1件)：

H01L 39/22

FI (1件)：

H01L39/22 C

Fターム (2件)：

4M113AA44 ,  4M113AC45