特許

J-GLOBAL ID：201603018633799200

抵抗変化メモリ素子および抵抗変化メモリ素子の製造方法

発明者： 山本 俊介 ,  三ツ石 方也 ,  宮下 徳治 ,  北中 孝尚
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-035643
公開番号（公開出願番号）：特開2016-157864
出願日： 2015年02月25日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：

【課題】駆動電圧、消費電力がともに低く、室温・大気圧下で作製を完了することができる酸化物超薄膜を含む抵抗変化メモリ素子および抵抗変化メモリ素子の製造方法を提供する。【解決手段】抵抗変化層の作製にケイ素含有高分子単分子膜の積層膜をテンプレートとして用い、これを光酸化することで得られる二酸化ケイ素超薄膜(酸化物超薄膜)を用い、なおかつ上部電極として導電性高分子の塗布膜を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部電極上に酸化物超薄膜が形成され、前記酸化物超薄膜上に上部電極が形成されて成り、 前記酸化物超薄膜は、一般式(a)

IPC (8件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/28

FI (10件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 250G ,  H01L21/316 G ,  H01L21/316 C ,  H01L21/28 301Z

Fターム (26件)：

4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG16 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ04 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA27 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083PR12 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA20