特許

J-GLOBAL ID：201603018779499356

固体撮像装置

発明者： 碇山 理究 ,  今野 有作 ,  薮原 秀彦 ,  角嶋 邦之 ,  川那子 高暢 ,  若林 整 ,  筒井 一生 ,  岩井 洋
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-188246
公開番号（公開出願番号）：特開2016-062998
出願日： 2014年09月16日
公開日（公表日）： 2016年04月25日
要約：

【課題】暗電流の発生を抑制した固体撮像装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体層と、第1絶縁膜と、第1金属酸化膜と、第2金属酸化膜と、第2絶縁膜と、を含む固体撮像装置が提供される。前記半導体層は、光電変換を行う。前記第1絶縁膜は、前記半導体層の上に設けられる。前記第1金属酸化膜は、前記第1絶縁膜の上に設けられる。前記第2金属酸化膜は、前記第1金属酸化膜の上に設けられ、前記第1金属酸化膜とは組成が異なる。前記第2絶縁膜は、前記第2金属酸化膜の上に設けられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光電変換を行う半導体層と、 前記半導体層の上に設けられた第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜の上に設けられた第1金属酸化膜と、 前記第1金属酸化膜の上に設けられ、前記第1金属酸化膜とは組成の異なる第2金属酸化膜と、 前記第2金属酸化膜の上に設けられた第2絶縁膜と、 を備えた固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/361

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 690 ,  H04N5/335 610

Fターム (22件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA33 ,  4M118CA34 ,  4M118CB13 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118HA25 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX24 ,  5C024GY31 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049SS03