特許
J-GLOBAL ID：201603019380866297
窒化物半導体製造装置用チャンバー構成部材の洗浄方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
木戸 一彦
, 木戸 良彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-187125
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045102
特許番号：特許第5984582号
出願日： 2012年08月28日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】窒化物半導体製造装置から取り外した前記窒化物半導体装置内のチャンバーを構成するチャンバー構成部材を洗浄する洗浄装置であって、反応生成物が付着した前記チャンバー構成部材を収容する密閉可能な洗浄容器と、該洗浄容器内を加熱する加熱手段と、前記洗浄容器内に塩素系洗浄ガスを導入する洗浄ガス導入経路と、前記塩素系洗浄ガスに対して不活性な希釈ガスを前記洗浄容器内に導入する希釈ガス導入経路と、前記洗浄容器内から洗浄排ガスを導出する排ガス導出経路と、該排ガス導出経路に導出した排ガスの除害処理を行う除害装置とを備えるとともに、前記排ガス導出経路に、少なくとも前記排ガスに接触する部分に合成樹脂の被膜を形成した金属製の配管部品を使用した窒化物半導体製造装置用洗浄装置を使用して前記チャンバー構成部材を洗浄する方法であって、前記チャンバー構成部材に付着した反応生成物を除去する洗浄操作は、前記チャンバー構成部材を前記洗浄容器内に収容して洗浄容器を密閉する工程と、前記加熱手段により洗浄容器内をあらかじめ設定された温度に加熱する工程と、前記塩素系洗浄ガス導入経路から塩素系洗浄ガスを洗浄容器内に導入するとともに前記希釈ガス導入経路から前記希釈ガスを洗浄容器内に導入して洗浄容器内に収容したチャンバー構成部材を洗浄し、洗浄容器内から排ガス導出経路に導出した排ガスを前記除害装置に導入する工程と、洗浄容器内への塩素系洗浄ガスの導入を停止するとともに加熱手段を停止し、希釈ガスの導入を継続しながら洗浄容器内を冷却する工程と、洗浄容器内から洗浄後のチャンバー構成部材を取り出す工程とを含む洗浄手順にて行い、あらかじめ設定された回数の洗浄操作を行ったときに、洗浄操作を中断して前記排ガス導出経路の配管部品を洗浄装置から取り外し、前記合成樹脂の被膜を配管部品から剥離する工程と、合成樹脂の被膜を配管部品に形成する工程とを含む配管部品再生操作を行い、該配管部品再生操作を終えた配管部品を洗浄装置に取り付けてから前記洗浄操作を再開する窒化物半導体製造装置用チャンバー構成部材の洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ( 200 6.01)
, C23C 16/44 ( 200 6.01)
H01L 21/31 F
, C23C 16/44 J
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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