特許
J-GLOBAL ID：201603019592156257

タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜

発明者：
大橋 一允

大橋 一允 について

, 
岡部 岳夫

岡部 岳夫 について


出願人/特許権者：
JX金属株式会社

JX金属株式会社 について


代理人 (2件)： 小越 勇 ,  小越 一輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-025489
公開番号（公開出願番号）：特開2016-135922
出願日： 2016年02月15日
公開日（公表日）： 2016年07月28日
要約：
【課題】安定した電気抵抗値の低減化が可能である、タングステン焼結体ターゲット及び該ターゲットを用いて成膜した低抵抗タングステン膜の提供。【解決手段】タングステン焼結体スパッタリングターゲットであって、タングステンの純度が5N(99.999%)以上であり、タングステンに含有する不純物の炭素が3wtppm以下、好ましくは3wtppm以下、より好ましくは1wtppm以下であるタングステン焼結体スパッタリングターゲットを用いて成膜したタングステン膜であって、成膜した膜の比抵抗が12.3μΩ・cm以下であるタングステン膜。タングステン粉末をホットプレスする際に、Ti,Ta又はZrから選択する金属箔を上、下及び側面に配置して、ホットプレスするタングステン焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
タングステン焼結体スパッタリングターゲットであって、タングステンの純度が5N(99.999%)以上であり、タングステンに含有する不純物の炭素が5wtppm以下であることを特徴とするタングステン焼結体スパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/14 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285
FI (3件)：
C23C14/14 D ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 S
Fターム (8件)：
4K029BA02 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC09 ,  4M104BB18 ,  4M104DD40 ,  4M104HH16
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (12件)
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