特許
J-GLOBAL ID：201103045448099030

成膜方法及びターゲット

発明者：
沼田 幸展

沼田 幸展 について

, 
林 世周

林 世周 について

, 
門倉 好之

門倉 好之 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-083253
公開番号（公開出願番号）：特開2011-214067
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：
【課題】スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。【解決手段】タングステンを含有するターゲットTを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Sに形成する成膜方法において、ターゲットTとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。また、成膜されたタングステン膜におけるニッケルの濃度が、0.001質量%以上且つ1質量%以下となるようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
タングステンを含有するターゲットを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板に形成する成膜方法において、 前記ターゲットはニッケルを含有するものであり、 前記タングステン膜におけるニッケルの濃度が、0.001質量%以上且つ1質量%以下となるようにする ことを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28
FI (6件)：
C23C14/14 D ,  C23C14/34 A ,  C23C14/34 C ,  H01L21/285 S ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 301
Fターム (18件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC16 ,  4K029DC34 ,  4K029DC40 ,  4K029JA02 ,  4M104BB18 ,  4M104BB37 ,  4M104DD39 ,  4M104DD40 ,  4M104DD41 ,  4M104HH16
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM