特許
J-GLOBAL ID：201603019681370190

半導体装置およびその製造方法

発明者：
井村 行宏

井村 行宏 について

, 
木村 吉孝

木村 吉孝 について

, 
秋野 勝

秋野 勝 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社

エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-007338
公開番号（公開出願番号）：特開2016-171305
出願日： 2016年01月18日
公開日（公表日）： 2016年09月23日
要約：
【課題】レーザーにより切断可能なヒューズ素子を備えた、耐腐食性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板の裏面から照射されたレーザー光がヒューズ素子上で集光され、発熱、膨張、破裂をすることを可能とするように、ヒューズ素子の上部には金属の格子とその間に残された層間膜を介してシリコン窒化膜が配置される。水分の浸入を防ぐために半導体装置の表面には一様な厚さのシリコン窒化膜が配置される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
レーザー光により切断されるヒューズ素子を備えた半導体装置であって、 半導体基板と、 前記半導体基板の表面に設けられたフィールド絶縁膜と、 前記フィールド絶縁膜の上に設けられたヒューズ素子と、 前記ヒューズ素子の側面と上面とを覆う中間絶縁膜と、 前記中間絶縁膜の上に設けられた前記ヒューズ素子を覆う金属の格子と、 前記格子の周囲に設けられた層間膜と、 前記層間膜に設けられた側面および底部を有する開口領域と、 前記開口領域の表面を覆うシリコン窒化膜と、 を有する半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/82 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 23/532
FI (4件)：
H01L21/82 F ,  H01L21/88 S ,  H01L27/04 V ,  H01L21/90 N
Fターム (31件)：
5F033QQ09 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR29 ,  5F033TT01 ,  5F033UU03 ,  5F033VV03 ,  5F033VV07 ,  5F033VV11 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F033XX32 ,  5F038AV03 ,  5F038AV10 ,  5F038AV15 ,  5F038CA18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB35 ,  5F064DD46 ,  5F064DD48 ,  5F064EE56 ,  5F064FF05 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF32 ,  5F064FF42 ,  5F064GG03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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