特許

J-GLOBAL ID：201603019839868425

ハーフメタル強磁性体接合構造、これを用いた5層磁気トンネル接合素子、及び磁気メモリ装置

発明者： 中川 茂樹 ,  史 蹟 ,  高村 陽太
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-189666
公開番号（公開出願番号）：特開2016-063062
出願日： 2014年09月18日
公開日（公表日）： 2016年04月25日
要約：

【課題】ハーフメタル強磁性体層のスピン分極率を変調できるハーフメタル強磁性体接合構造及びマルチフェロイック構造を提供すること。【解決手段】フリー層としての金属強磁性体層1、トンネル障壁層2及びピン層としてのハーフメタル強磁性体層3は、3層磁気トンネル接合(MTJ)構造S1を構成する。3層MTJ構造S1のハーフメタル強磁性体層3側には自発分極Pを有する強誘電体層4が接合され、さらに強誘電体層4の下に導電層5が接合され、ハーフメタル強磁性体層3のスピン分極率を変調する。ハーフメタル強磁性体層3、強誘電体層4及び導電層5はハーフメタル強磁性体接合構造S2を構成する。ハーフメタル強磁性体層3を共通とする3層MTJ構造S1及びハーフメタル強磁性体接合構造S2は5層MTJ素子S3を構成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ハーフメタル強磁性体層と、 前記ハーフメタル強磁性体層の下に設けられた強誘電体層と、 前記強誘電体層の下に設けられた導電層と を具備し、 前記強誘電体層の分極によって前記ハーフメタル強磁性体層のスピン分極率を変調するハーフメタル強磁性体接合構造。

IPC (5件)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (5件)：

H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L27/10 447

Fターム (16件)：

4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD47 ,  4M119EE22 ,  4M119EE28 ,  4M119KK14 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB24 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB90