特許
J-GLOBAL ID：201603020026485047

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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須澤 英臣

須澤 英臣 について

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笹川 慎也

笹川 慎也 について

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田中 哲弘

田中 哲弘 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-230365
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082390
特許番号：特許第5951442号
出願日： 2012年10月17日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸素を含む下地絶縁層と、 前記下地絶縁層上に設けられた島状の酸化物積層と、 前記島状の酸化物積層の上面の一部と接する領域と、前記島状の酸化物積層のチャネル形成方向における側面と接する領域と、を有する第1のソース電極層と、 前記島状の酸化物積層の上面の一部と接する領域と、前記島状の酸化物積層のチャネル形成方向における側面と接する領域と、を有する第1のドレイン電極層と、 前記第1のソース電極層上に設けられ、前記酸化物積層の上面の一部と接する領域を有し、金属窒化物を含む第2のソース電極層と、 前記第1のドレイン電極層上に設けられ、前記酸化物積層の上面の一部と接する領域を有し、金属窒化物を含む第2のドレイン電極層と、 前記第2のソース電極層上及び前記第2のドレイン電極層上に設けられ、前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層との間で前記酸化物積層の上面の一部と接する領域を有するゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物積層と重畳する領域を有するゲート電極層と、 前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上に接して設けられた保護絶縁層と、を有し、 前記酸化物積層は、少なくともチャネルを形成する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と前記下地絶縁層との間に設けられた第1の酸化物層と、前記酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層との間に設けられた第2の酸化物層と、を含み、 前記下地絶縁層は、前記島状の酸化物積層の外周部において、前記ゲート絶縁層と接する領域を有し、 前記保護絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い半導体装置。
IPC (17件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01)
FI (22件)：
H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/365 ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 331 C ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 615 ,  H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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