エピタキシャル堆積プロセス及び装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田・小林特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-080171
公開番号（公開出願番号）：特開2016-167610
出願日： 2016年04月13日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：

【課題】簡便な方法でエピタキシャル堆積プロセスの前に残留表面酸素を結晶基板から除去する方法を提供する。【解決手段】ドライエッチングプロセスに続いてエピタキシャル堆積プロセスを含む、エプタキシャル堆積プロセスによる。ドライエッチングプロセスは、洗浄すべき基板70を処理チャンバ内に配置して表面酸化物を除去するステップを含む。ガス混合物をプラズマキャビティに導入し、ガス混合物を励起してプラズマキャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させる。反応性ガスは、処理チャンバに入り、基板と反応し、薄膜を形成させる。基板を加熱して薄膜を蒸発させ、エピタキシャル堆積のための基板表面74をさらす。こうして基板表面74は、実質的に酸化物を含まないものとする。その後、エピタキシャル堆積を用いて基板表面74上にエピタキシャル層76を形成する。【選択図】図2C

請求項（抜粋）：

エピタキシャル堆積法であって: 処理チャンバ内に基板を導入するステップと; プラズマキャビティ内にガス混合物を導入するステップと; 該ガス混合物を励起して、該キャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させるステップと; 該処理チャンバ内に該反応性ガスを導入するステップと; 該基板を該反応性ガスで処理して、エピタキシー表面をさらすステップと; 該エピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成するステップと; を含む、前記方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/306 , C23C 16/02 , C30B 29/06 , C30B 25/20

FI (6件)：

H01L21/205 , H01L21/302 101Z , C23C16/02 , C30B29/06 504F , C30B29/06 504L , C30B25/20

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-280536
ライン製造のフロントエンドのためのインサイチュドライクリーンチャンバ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-054443 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-086384 出願人：株式会社日立国際電気

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