特許
J-GLOBAL ID：201603020670654739
セラミック回路基板の製造方法、およびパワーモジュールの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
出口 智也
, 勝沼 宏仁
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 関根 毅
, 赤岡 明
, 吉田 昌司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-200637
公開番号（公開出願番号）：特開2014-056933
特許番号：特許第6000770号
出願日： 2012年09月12日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】セラミック回路基板の製造方法であって、前記セラミック回路基板は、セラミック基板に銅パターンが直接接合されたDBC(Direct Bonding Copper)基板、または前記セラミック基板に銅パターンがろう材を介して接合されたAMC(Active Metal Brazed Copper)基板であり、
セラミック基板の少なくとも一方の面に直接またはろう材を介して接合された銅パターンを銅の再結晶温度以上に加熱する、加熱工程と、
前記加熱工程を経た銅パターンの表面の凹凸に沿って当該銅パターンを被覆するようにめっき層を形成する、めっき工程と、
を備えることを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
IPC (7件)：
H05K 3/22 ( 200 6.01)
, C23C 28/02 ( 200 6.01)
, H05K 3/24 ( 200 6.01)
, H05K 3/26 ( 200 6.01)
, H01L 23/13 ( 200 6.01)
, C22C 11/06 ( 200 6.01)
, B23K 35/26 ( 200 6.01)
H05K 3/22 Z
, C23C 28/02
, H05K 3/24 A
, H05K 3/26 F
, H01L 23/12 C
, C22C 11/06
, B23K 35/26 310 B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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