特許
J-GLOBAL ID：201603020697741447

磁化可能な材料で作られた部品の応力を決定する装置及び方法

発明者：
ルイジ メルレッティ

ルイジ メルレッティ について

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ガブリエレ ファントーニ

ガブリエレ ファントーニ について

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ルカシュ ミエールチェザック

ルカシュ ミエールチェザック について

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デイビッド シー.ジルズ

デイビッド シー.ジルズ について


出願人/特許権者：
アグスタウェストランド ソチエタ ペル アツィオニ

アグスタウェストランド ソチエタ ペル アツィオニ について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  島田 哲郎 ,  三橋 真二 ,  大橋 康史 ,  伊藤 健太郎 ,  前島 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-093371
公開番号（公開出願番号）：特開2016-145842
出願日： 2016年05月06日
公開日（公表日）： 2016年08月12日
要約：
【課題】磁化可能な材料で作られた部品の応力をバルクハウゼン効果を用いて決定するための、実施し易い装置及び方法を提供すること。【解決手段】磁化可能な材料で作られた部品2の有効応力値σを決定するための装置1であり、装置は、変動する振幅Hの磁場を生成する生成ステージ3と、磁場の振幅Hの変動に沿ってバルクハウゼンノイズ信号MBNを捕捉するピックアップステージ4とを含む。装置は、磁場の振幅Hの変動に沿って信号MBNの最大値MBNmaxの逆数1/MBNmaxを計算する処理ユニットを有し、処理ユニット5が、最大値の逆数1/MBNmaxと有効応力値σとの間の線形関係を記憶するメモリステージ15を有特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁化可能な材料で作られた部品(2)の有効応力値(σ)を決定するための装置であって、 変動する振幅(H)の磁場を生成する生成ステージ(3)と、 前記磁場の前記振幅(H)の変動に沿ってバルクハウゼンノイズ信号(MBN)を捕捉するピックアップステージ(4)と、を備え、 該装置が、 前記磁場の前記振幅(H)の変動に沿って前記信号(MBN)の最大値(MBNmax)の逆数(1/MBNmax)を計算する処理ユニット(5)を備え、 前記処理ユニット(5)が前記最大値の前記逆数(1/MBNmax)と前記有効応力値(σ)との間の線形関係を記憶するメモリステージ(15)を備えることを特徴とする、装置。
IPC (3件)：
G01N 27/72 ,  G01L 1/00 ,  G01L 1/12
FI (3件)：
G01N27/72 ,  G01L1/00 F ,  G01L1/12
Fターム (8件)：
2G053AA19 ,  2G053AB20 ,  2G053BA03 ,  2G053BA21 ,  2G053CA03 ,  2G053CB12 ,  2G053CB14 ,  2G053DA01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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