特許
J-GLOBAL ID：201603020868384346
耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
奥田 誠司
, 喜多 修市
, 梶谷 美道
, 三宅 章子
, 岡部 英隆
, 川喜田 徹
, 田中 悠
, 村瀬 成康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-226861
公開番号（公開出願番号）：特開2016-105344
出願日： 2015年11月19日
公開日（公表日）： 2016年06月09日
要約：
【課題】セキュリティー性により優れたディジタルIDデータを生成するためのPUF(物理的複製困難関数)技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様にかかる不揮発性メモリ装置は、電気的信号の印加に応じて抵抗値が複数の抵抗値範囲の間を不揮発的かつ可逆的に遷移する性質を有する複数のメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイと、各々が複数のメモリセルの1つの抵抗値に関する複数の抵抗値情報を取得する読み出し回路と、複数の抵抗値情報の少なくとも一部に基づいて2値化基準値を算出する演算回路と、書き込み回路とを備え、読み出し回路は、2値化基準値に基づいて、複数の抵抗値情報の各々に対して2つの値から選択的に1つの値を割り当てて複数のディジタルデータを生成し、書き込み回路は、2つの値のうちいずれか一方の値に対応するメモリセルに対して第1の書き込み動作を行う。【選択図】図28
請求項（抜粋）：
可変状態では、異なる複数の電気的信号の印加に応じて抵抗値が複数の抵抗値範囲の間を不揮発的かつ可逆的に遷移する性質を有する複数のメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイと、
各々が前記複数のメモリセルの1つの前記抵抗値に関する複数の抵抗値情報を取得する読み出し回路と、
前記複数の抵抗値情報の少なくとも一部に基づいて2値化基準値を算出する演算回路と、
書き込み回路と、を備え、
前記読み出し回路は、前記2値化基準値に基づいて、前記複数の抵抗値情報の各々に対して2つの値から選択的に1つの値を割り当てることにより複数のディジタルデータを生成し、
前記書き込み回路は、前記複数のメモリセルのうち、前記2つの値のうちいずれか一方の値に対応するメモリセルに対して第1の書き込み動作を行う、不揮発性メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C13/00 420
, H04L9/00 673C
, H04L9/00 673D
, G11C13/00 215
5J104AA07
, 5J104AA16
, 5J104AA44
, 5J104EA08
, 5J104KA02
, 5J104NA06
, 5J104NA36
, 5J104NA42
