光強度設定方法、検査方法および検査装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-006862
公開番号（公開出願番号）：特開2016-133344
出願日： 2015年01月16日
公開日（公表日）： 2016年07月25日
要約：

【課題】半導体試料に照射する光強度を好適に設定する技術を提供する。【解決手段】第1光強度の検査光LP11の照射に応じて太陽電池9から放射されるテラヘルツ波LT1の第1時間波形を取得する(ステップS11)。続いて、第1光強度よりも大きい第2光強度の検査光LP11の照射に応じて太陽電池9から放射されるテラヘルツ波LT1の第2時間波形を取得する(ステップS12)。さらに、第1時間波形および第2時間波形の比較に基づいて、第2時間波形における電界強度の振動の発生を検出する(ステップS13)。電界強度の振動の発生が検出された場合に、太陽電池9の検査向けの検査光LP11の光強度を、第2光強度よりも小さい第3光強度に設定する(ステップS14)。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体試料に照射する光の強度を設定する光強度設定方法であって、 (a) 第1光強度の光の照射に応じて半導体試料から放射されるテラヘルツ波の第1時間波形を取得する第1取得工程と、 (b) 前記第1光強度よりも大きい第2光強度の光の照射に応じて前記半導体試料から放射されるテラヘルツ波の第2時間波形を取得する第2取得工程と、 (c) 前記第1時間波形および前記第2時間波形の比較に基づいて、前記第2時間波形における電界強度の振動の発生を検出する振動発生検出工程と、 (d) 前記(c)工程において、電界強度の振動の発生が検出された場合に、前記半導体試料に照射する前記光の光強度を、前記第2光強度よりも小さい第3光強度に設定する光強度設定工程と、を含む、光強度設定方法。

IPC (6件)：

G01M 11/00 , G01N 21/63 , H01L 21/66 , G01N 21/88 , H01L 31/068 , H02S 50/10

FI (6件)：

G01M11/00 T , G01N21/63 Z , H01L21/66 C , G01N21/88 K , H01L31/06 300 , H02S50/10

Fターム (50件)：

2G043AA03 , 2G043CA07 , 2G043DA05 , 2G043EA01 , 2G043FA01 , 2G043FA03 , 2G043GA01 , 2G043GB01 , 2G043GB03 , 2G043HA02 , 2G043HA03 , 2G043HA09 , 2G043KA01 , 2G043KA02 , 2G043KA05 , 2G043KA08 , 2G043KA09 , 2G043LA03 , 2G043LA07 , 2G043NA01 , 2G043NA06 , 2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051BA06 , 2G051BA10 , 2G051BA11 , 2G051BB07 , 2G051BB11 , 2G051CA01 , 2G051CA03 , 2G051CB10 , 2G051DA07 , 2G051DA08 , 2G086EE12 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106CA19 , 4M106CA21 , 4M106DH18 , 4M106DH32 , 4M106DJ20 , 5F151AA01 , 5F151DA03 , 5F151FA04 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151GA04 , 5F151HA03 , 5F151KA09

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