研究者
J-GLOBAL ID:201701002288962093   更新日: 2024年12月24日

市川 修平

イチカワ シュウヘイ | Ichikawa Shuhei
所属機関・部署:
職名: 准教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
  • 大阪大学  超高圧電子顕微鏡センター   准教授
ホームページURL (2件): http://www.sfm.eei.eng.osaka-u.ac.jp/http://www.sfm.eei.eng.osaka-u.ac.jp/en/
研究分野 (3件): 電気電子材料工学 ,  光工学、光量子科学 ,  結晶工学
競争的資金等の研究課題 (15件):
  • 2023 - 2028 半導体イントラセンター・フォトニクスの新展開
  • 2023 - 2027 マイクロLEDとの一体化で実現するMoS2薄膜によるVOCガスのリアルタイム検知
  • 2022 - 2024 窒化物光デバイスの高効率化に向けた光電子・発光融合分光分析の創製
  • 2018 - 2023 半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓
  • 2020 - 2023 (継続テーマ) 希土類元素ドープによる高品質GaN系微傾斜表面の作製と高密度原子ステップを利用した高機能デバイスの開発
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論文 (77件):
  • Yasuhiro Yamada, Takeru Oki, Takeshi Morita, Takumi Yamada, Mitsuki Fukuda, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima, Yoshihiko Kanemitsu. Optical Cooling of Dot-in-Crystal Halide Perovskites: Challenges of Nonlinear Exciton Recombination. Nano Letters. 2024. 24. 36. 11255-11261
  • 市川 修平, 藤原 康文. イントラセンター・インターバンド遷移の複合システムが拓く窒化ガリウム系フルカラーLEDのモノリシック集積. 日本結晶成長学会誌. 2024. 51. 2. 51-2-05/1-51-2-05/9
  • K. Sano, H. Fujikura, T. Konno, S. Kaneki, S. Ichikawa, K. Kojima. Switching of major nonradiative recombination centers (NRCs) from carbon impurities to intrinsic NRCs in GaN crystals. Applied Physics Letters. 2024. 124. 23
  • Kenjiro Uesugi, Ryota Akaike, Shuhei Ichikawa, Takao Nakamura, Kazunobu Kojima, Masahiko Tsuchiya, Hideto Miyake. 230 nm wavelength range far-UVC LED with low Al-composition differentiation between well and barrier layers of MQWs. Applied Physics Express. 2024
  • Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Volkmar Dierolf, Brandon Mitchell, Hayley Austin, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara. An efficiently excited Eu3+ luminescent site formed in Eu,O-codoped GaN. AIP Advances. 2024
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MISC (4件):
特許 (2件):
  • 窒化物半導体デバイスとその基板、および希土類元素添加窒化物層の形成方法、並びに赤色発光デバイスとその製造方法
  • 表示装置およびその製造方法
講演・口頭発表等 (21件):
  • Ultrafast Surface Carrier Recombination in Semiconductors Evaluated by Two-photon Photoemission Spectroscopy
    (<i>2024 Materials Research Society Fall Meeting (2024 MRS Fall Meeting)</i>, <b>CH06.07.04</b>, Boston, USA, December 1-6 (2024). 2024)
  • メタサーフェス一体型InGaN円偏光デバイスの設計と作製
    (<i>Optics & Photonics Japan (OPJ2024)</i>, <b>30pMS2</b>, 電気通信大学, (Nov. 2024). 2024)
  • Surface Carrier Dynamics of Nitride Semiconductors Evaluated by Time-resolved Photoemission Spectroscopy
    (<i>The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)</i>, <b>386</b>, Hawai’i, USA, November 3-8 (2024). 2024)
  • Arbitrary control of optical polarization of (0001) InGaN radiation using anisotropic strain-relaxation in micro-LED structures
    (<i>The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)</i>, <b>384</b>, Hawai’i, USA, November 3-8 (2024). 2024)
  • Strong far-UVC localized emissions from Ga-rich regions induced by atomic-step meandering of AlGaN on high-temperature annealed AlN templates
    (<i>The 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)</i>, <b>391</b>, Hawai’i, USA, November 3-8 (2024). 2024)
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学歴 (2件):
  • 2012 - 2017 京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
  • 2008 - 2012 京都大学 工学部 電気電子工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (京都大学)
経歴 (5件):
  • 2024/03 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 准教授
  • 2022/03 - 2024/02 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 助教
  • 2020/09 - 2022/02 大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター 助教
  • 2018/04 - 2020/09 大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻 助教
  • 2017/04 - 2018/03 大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター 特任助教
委員歴 (5件):
  • 2019 - 現在 14th International Conference on Nitride Semiconductors Publication Committee
  • 2021/03 - 2023/03 電子材料シンポジウム実行委員会 総務委員
  • 2019 - 2019 第38回電子材料シンポジウム(EMS-38) 会場委員
  • 2019 - 2019 日本結晶成長学会(JCCG-48)現地実行委員
  • 2018 - 2018 第37回電子材料シンポジウム(EMS-37) 会場委員
受賞 (11件):
  • 2024/04 - the 10th Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA 2024) Young Researcher’s Paper Award Combinational integration of Eu-doped GaN and InGaN LEDs and their prospects for miniaturization
  • 2023/03 - 応用物理学会 第44回(2022年度)応用物理学会論文賞 Eu-doped GaN and InGaN monolithically stacked full-color LEDs with a wide color gamut
  • 2021/03 - CGCT-8 CGCT Young Scientist Award Demonstration of macrostep-free GaN bipolar device structures on vicinal (0001) substrates using Eu-doped GaN interlayers
  • 2019/06 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 研究奨励賞 高密度原子ステップ表面を有するGaN系半導体におけるSiドーピング時の成長挙動
  • 2019/04 - 日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 平成30年度講演奨励賞 In-situ Euドーピング技術を利用した微傾斜(0001)GaN表面のステップバンチング抑制
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所属学会 (1件):
応用物理学会
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