研究者
J-GLOBAL ID:201701015293744791   更新日: 2020年10月19日

松田 晃史

マツダ アキフミ | Matsuda Akifumi
所属機関・部署:
職名: 講師
ホームページURL (1件): http://www.yoshimoto.iem.titech.ac.jp/
研究分野 (1件): 無機材料、物性
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • 2018 - 2019 サブナノスケール形状転写を用いたフレキシブル基板上のエピタキ シャル状電子光学素子の創製
  • 2015 - 2017 多波長レーザー照射と基板ナノ構造制御による紫外発光型単結晶性酸化物薄膜の室温成長
  • 2012 - 2013 非晶質-結晶性材料における極微細構造の自己組織化誘発と形態制御および形成機構の解明
  • 2006 - 2007 金属酸化物の還元反応を利用した酸化物半導体/強磁性金属ハイブリッドナノ構造の作製と新機能探索
論文 (59件):
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MISC (5件):
講演・口頭発表等 (152件):
  • 低温 PLD 合成 Ni1-xFexO(111)エピタキシャル薄膜の磁気抵抗評価
    (第81回 応用物理学会 秋季学術講演会 2020)
  • 一軸加圧熱処理による酸化チタン薄膜の固相結晶化と光学・導電特性変化
    (第81回 応用物理学会 秋季学術講演会 2020)
  • 環状オレフィンポリマー基板表面への172nm真空紫外光照射が及ぼすZnO薄膜配向成長への影響
    (第81回 応用物理学会 秋季学術講演会 2020)
  • 室温エキシマレーザー照射によるMgAl2O4単結晶基板上でのGa2O3薄膜の固相エピタキシー
    (第81回 応用物理学会 秋季学術講演会 2020)
  • 導電性ポリマー被覆PETフィルムのナノインプリント平坦化と電気特性評価
    (第81回 応用物理学会 秋季学術講演会 2020)
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学歴 (4件):
  • 2005 - 2008 東京工業大学 物質科学創造専攻 博士後期課程
  • 2003 - 2005 東京工業大学 物質科学創造専攻 修士課程
  • 2000 - 2003 東京工業大学 無機材料工学科
  • 1999 - 2000 東京工業大学 第2類
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京工業大学)
経歴 (4件):
  • 2016/04 - 現在 東京工業大学 物質理工学院 材料系 講師
  • 2015/03 - 2016/03 東京工業大学 総合理工学研究科 物質科学創造専攻 講師
  • 2011/09 - 2015/02 東京工業大学 総合理工学研究科 物質科学創造専攻 助教
  • 2008/04 - 2011/08 株式会社 日立製作所 研究開発本部 日立研究所 研究員
受賞 (7件):
  • 2018/12 - 日本セラミックス協会 日本セラミックス協会賞 進歩賞 ワイドギャップ酸化物半導体薄膜の室温エピタキシャル合成
  • 2016/12 - 日本MRS-J 第26回日本MRS年次大会 奨励賞 Buffer-induced room-temperature epitaxy of β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> thin films by excimer laser annealing
  • 2016/03 - 日本セラミックス協会 2016年年会優秀ポスター発表賞 優秀賞 一軸圧縮下の熱処理によるVO<sub>X</sub>薄膜の相選択的エピタキシーと導電特性
  • 2014/06 - 日本セラミックス協会 JCS-JAPAN優秀総説賞 Room-temperature synthesis of epitaxial oxide thin films for development of unequilibrium structure and novel electronic functionalization
  • 2013/09 - 日本セラミックス協会 第26回秋季シンポジウム 優秀賞 室温合成エピタキシャル酸化物薄膜の水素還元による磁気抵抗型積層薄膜の作製
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所属学会 (6件):
日本MRS ,  電気学会 ,  日本熱電学会 ,  Materials Research Society ,  応用物理学会 ,  日本セラミックス協会
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