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J-GLOBAL ID：201702200037016261   整理番号：17A0976690

テルル化ビスマスベースのトポロジカル絶縁体中での層状膜の層間表面のモルフォロジーと顕微Ramanスペクトルについて

On the Morphology of the Interlayer Surface and Micro-Raman Spectra of Layered Films in Topological Insulators based on Bismuth Telluride

著者 (7件)： LUKYANOVA L. N. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  BIBIK A. Yu. (St. Petersburg State Univ. Information Technol., Mechanics, and Optics, St. Petersburg, RUS) ,  ASEEV V. A. (St. Petersburg State Univ. Information Technol., Mechanics, and Optics, St. Petersburg, RUS) ,  USOV O. A. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  MAKARENKO I. V. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  PETROV V. N. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  NIKONOROV N. V. (St. Petersburg State Univ. Information Technol., Mechanics, and Optics, St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 6  ページ： 729-731  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化ビスマスおよびビスマス副格子中の主要化合物の原子の置換に基づく固溶体および種々の熱電係数での両副格子の原子間力顕微鏡による表面のRaman散乱のスペクトルとモルフォロジーを調べた。これはN型Bi₂Te₃および厚み,表面モルフォロジーおよび試料の熱起電力に関連したものに基づく固溶体の三次元トポロジカル絶縁体の高周波数Ramanフォノンの強度比の体系化は,Diracフェルミオンのトポロジカル表面状態のカルコゲン化物の輸送及び光学的性質に及ぼす影響をシミュレートするための独立な方法として興味があることを示した。

シソーラス用語： *絶縁体 ,  *顕微Raman分光法 ,  *テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  組成 ,  厚み ,  形態 ,  *フェルミオン ,  置換 ,  熱起電力 ,  化合物半導体 ,  *モルフォロジー ,  副格子 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *Diracフェルミオン ,  *テルル化ビスマス

分類 (2件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (5件)： テルル化ビスマス ,  トポロジカル絶縁体 ,  層状 ,  モルフォロジー ,  Ramanスペクトル