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J-GLOBAL ID：201702210018320510   整理番号：17A0275474

650V p-GaNゲートH EMTの性能の最大化:動的Oleron特性化とゲート駆動設計の考察【Powered by NICT】

Maximizing the performance of 650 V p-GaN gate HEMTs: Dynamic ron characterization and gate-drive design considerations

著者 (6件)： Wang Hanxing (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Xie Ruiliang (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Liu Cheng (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Wei Jin (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Tang Gaofei (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Chen Kevin J. (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-GaNゲートを有する650V/13AエンハンスメントモードGaNパワートランジスタの系統的特性化を提示した。静的および動的素子特性は電流崩壊としきい値電圧不安定性のようなトラッピングによって誘起される効果を考慮に入れて測定した。400Vまで評価し,カスタム設計された二重パルス試験回路を用いた10Aはスイッチング性能。最適ゲート駆動条件は回路性能に逆トラッピング効果の影響を最小化するため提案した過剰なゲートストレスから装置を防止した。さらに,ゲート駆動回路設計と基板レイアウト考察GaNデバイスの高速スイッチング特性を対象にしているについても考察した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 接続品質 ,  *キャラクタリゼーション ,  回路特性 ,  電流 ,  電力トランジスタ ,  ゲート回路 ,  不安定性 ,  テスト構造 ,  高速度 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  トラッピング ,  閾値電圧 ,  デバイス特性 ,  エンハンスメントモード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ゲート ,  EMT ,  最大化 ,  特性化 ,  設計