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J-GLOBAL ID：201702210050340965   整理番号：17A0662246

IGBTモジュールにおけるダイアタッチはんだ層上の狭接合温度サイクルの影響に関する実験的研究【Powered by NICT】

Experimental Investigation on the Effects of Narrow Junction Temperature Cycles on Die-Attach Solder Layer in an IGBT Module

著者 (8件)： Lai Wei (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Chen Minyou (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Ran Li (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Xu Shengyou (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Jiang Nan (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Wang Xuemei (School of Electric Power, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Alatise Olayiwola (School of Engineering, University of Warwick, Coventry, U.K.) ,  Mawby Philip (School of Engineering, University of Warwick, Coventry, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 32  号： 2  ページ： 1431-1441  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,パワーモジュールにおける低振幅の繰返し接合温度変化(ΔT_j)の時効効果に関する一連の実験の結果を提示し,モジュール信頼性特性の捕捉と今後の寿命モデルの導出に役立つ。モジュールをnonagedと高齢者,電力サイクル試験は,破壊機構を明らかにするために設計した。実際コンバータの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールは通常40°CまでΔT_j範囲で運転されている,試験は,モジュール寿命に及ぼすこのような狭いΔT_j応力サイクルの影響を観察するために実施した。比較的小さい応力サイクルを直接亀裂を発生させることができないかもしれないが,応力集中によるダイ接着はんだ層における損傷の進展に寄与することが分かった。有限要素解析モデリングを用いて応力集中効果を検証した。実験の結果は,狭いΔT_j応力サイクルの影響は,モジュールの熟成状態と応力レベル自体によって影響されることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 繰返し試験 ,  応力集中 ,  *IGBT ,  接着 ,  *ダイボンディング ,  変換器 ,  モデリング ,  電力 ,  *はんだ ,  亀裂
準シソーラス用語： 有限要素解析 ,  破壊機構 ,  時効効果 ,  パワーモジュール ,  *接合温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： IGBT ,  モジュール ,  ダイアタッチ ,  はんだ層 ,  接合温度 ,  サイクル ,  実験的研究