文献
J-GLOBAL ID:201702210128991249   整理番号:17A1604158

高pH感度を有する拡張ゲート電界効果トランジスタ(EGFET)のためのセンシング膜としての多層ZnO/Pd/ZnO構造

Multilayer ZnO/Pd/ZnO Structure as Sensing Membrane for Extended-Gate Field-Effect Transistor (EGFET) with High pH Sensitivity
著者 (9件):
資料名:
巻: 46  号: 10  ページ: 5901-5908  発行年: 2017年10月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
透明な導電性酸化物層は,フラットパネルディスプレイや多数のデバイスの透明電極などの広い範囲の用途のために,広く研究されている。本研究では,pH感知デバイスで使用するための新しい感受性ナノ構造物質として,ZnO/Pd/ZnO多層膜を採用した。ZnO/Pd/ZnO多層膜を作製し,初めてEGFETに用いた。多層は,ZnOターゲットのRFスパッタリングと,マグネトロンシステムを用いたPdターゲットのDCスパッタリングとによって,ガラス基板上に室温で堆積された。2つのZnO層間の中間層としてPdを用いた。本研究では,導電率および感度に影響を及ぼす可能性のあるパラメータ,またはナノ構造の形態を変更する可能性のあるパラメータを調べた。その結果,導電率が向上し,感度が向上した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  トランジスタ  ,  酸塩基平衡 

前のページに戻る