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J-GLOBAL ID：201702210155309097   整理番号：17A1560569

比較的高い自己バイアスでのRF PECVD法で蒸着したシリコンの高濃度の炭素被覆【Powered by NICT】

Carbon coatings with high concentrations of silicon deposited by RF PECVD method at relatively high self-bias

著者 (10件)： Jedrzejczak A. (Lodz University of Technology, Institute Materials Science and Engineering, 1/15, Stefanowskiego, 90-924 Lodz, Poland) ,  Batory D. (Lodz University of Technology, Institute Materials Science and Engineering, 1/15, Stefanowskiego, 90-924 Lodz, Poland) ,  Dominik M. (Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, Poland) ,  Smietana M. (Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, Poland) ,  Cichomski M. (University of Lodz, Faculty of Chemistry, Department of Materials Technology and Chemistry, Pomorska 163, 90-236 Lodz, Poland) ,  Szymanski W. (Lodz University of Technology, Institute Materials Science and Engineering, 1/15, Stefanowskiego, 90-924 Lodz, Poland) ,  Bystrzycka E. (University of Lodz, Faculty of Chemistry, Department of Materials Technology and Chemistry, Pomorska 163, 90-236 Lodz, Poland) ,  Prowizor M. (University of Lodz, Faculty of Chemistry, Department of Materials Technology and Chemistry, Pomorska 163, 90-236 Lodz, Poland) ,  Kozlowski W. (University of Lodz, Faculty of Physics and Applied Informatics, Department of Solid State Physics, Pomorska 149/153, 90 236 Lodz, Poland) ,  Dudek M. (Lodz University of Technology, Institute Materials Science and Engineering, 1/15, Stefanowskiego, 90-924 Lodz, Poland)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 329  ページ： 212-217  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は包含されたけい素原子の関数としてのa-C:H:Si被覆の特性を示した。調べた皮膜の化学組成は負の基板バイアスの二値で実施されたRF PECVD(ラジオ周波数プラズマ増強化学蒸着)プロセス中のメタン(CH_4)流量比にテトラメチルシラン(Si(CH_3)4)によって制御された。結果は硬さ,屈折率及び蒸着した皮膜の密度の挙動の二段階,ナノインデンテーション,偏光解析法とX線反射率法を用いて測定し,それぞれを示した。二段階に分け,取込まれたけい素の臨界濃度は約15at.%まで確立した。この濃度以下で分析したパラメータはドーパント量の増加と共に減少するが,この値以上では,最小に達した後に,シリコン濃度のさらなる増加は硬さ,屈折率及び密度の増加をもたらした。も偏光解析法とX線反射率法の両方からの結果の高濃度を記録した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  ナノインデンテーション ,  皮膜 ,  ドーパント ,  偏光解析法 ,  化学組成 ,  硬度 ,  *プラズマCVD ,  屈折率 ,  *被覆
準シソーラス用語： X線反射率法 ,  流量比 ,  基板バイアス ,  *高濃度 ,  *自己バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： カーボン被覆 ,  シリコン ,  光学的性質 ,  密度 ,  Raman分光法

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己バイアス ,  RF ,  PECVD ,  蒸着 ,  シリコン ,  高濃度 ,  炭素被覆