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J-GLOBAL ID:201702210173349377   整理番号:17A1627580

ナノスケール島状SiN-中間層を持つ非極性a面GaNエピ層の結晶品質の異方性と歪の低減【Powered by NICT】

Reduction in crystalline quality anisotropy and strain for non-polar a-plane GaN epi-layers with nano-scale island-like SiN interlayer
著者 (9件):
資料名:
巻: 729  ページ: 992-996  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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結晶品質異方性の減少とナノスケール島状SiN_中間層を持つ非極性a面GaNエピ層の面内歪を走査電子顕微鏡,高分解能X線回折測定,Raman分光法を用いて広範囲に研究した。両方のc軸とmに対するX線ロッキング曲線の半値全幅が1108~780arcsecと2077~806arcsecからそれぞれ減少したのでSiN_層間したa面GaNエピ層の結晶品質異方性を抑制するために強力であることを実証した。Raman測定の結果は,SiN_中間層は,面内歪を補償するに重要な役割を果たすことを明らかにした。事実,m方向に沿った面内圧縮歪とc方向に沿って引張歪はSiN_中間層の挿入による約62%と78%減少したことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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その他の無機化合物の薄膜 

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