Yu Eunseon について
Department of Electronics Engineering, Gachon University, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea について
Cho Seongjae について
Department of Electronics Engineering, Gachon University, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea について
Cho Seongjae について
Graduate School of IT Convergence Engineering, Gachon University, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea について
Park Byung-Gook について
Department of Electrical and Computer Engineering with Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea について
Physica B. Condensed Matter について
FET【トランジスタ】 について
電圧 について
量子論 について
短チャネル効果 について
MOS構造 について
酸化物 について
チャネル について
シミュレーション について
絶縁材料 について
ケイ素 について
MOSFET について
半導体 について
電気的性質 について
信頼性 について
絶縁体 について
TCAD について
金属-酸化物-半導体(MOS)コンデンサ について
容量-電圧(C V)特性 について
フローティングボディMOSFET について
超薄ボディ(UTB) について
シリコン-オン-インシュレータ(SOI) について
デバイス物理学 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
酸化物 について
電界効果トランジスタ について
電圧特性 について
シミュレーション について
研究 について