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J-GLOBAL ID：201702210318009834   整理番号：17A1427004

新規構造における金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの容量-電圧特性の正確なシミュレーション研究【Powered by NICT】

An accurate simulation study on capacitance-voltage characteristics of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in novel structures

著者 (4件)： Yu Eunseon (Department of Electronics Engineering, Gachon University, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea) ,  Cho Seongjae (Department of Electronics Engineering, Gachon University, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea) ,  Cho Seongjae (Graduate School of IT Convergence Engineering, Gachon University, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea) ,  Park Byung-Gook (Department of Electrical and Computer Engineering with Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 521  ページ： 305-311  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体(MOS)構造の物理的および電気的特性評価のための本質的で重要な方法を,容量-電圧(C V)測定である。MOS構造のC-V特性から判断して,著者らは電界効果トランジスタのDCおよびAC挙動を予測し,主要なパラメータの集合を抽出することができる。MOS電界効果トランジスタ(MOSFET)技術はデバイススケーリングの進行とともに起こる望ましくない短チャネル効果(SCE)を効果的に抑制するために,チャネル上のゲート制御性を向上させるために発展してきた。目的のために,多数の新規構造は先進MOSFETデバイスに提案されている。しかし,そのような新しいMOS構造のC-V特性を詳細に研究したほとんどされていない。本研究では,厳密な技術計算機援助設計(TCAD)シミュレーションによるバルクSi及びシリコン-オン-インシュレータ(SOI)基板上に超薄体(UTB)MOSFETのC-V特性を報告した。より高い信頼性と精度のために,量子力学モデルは活性化され,経験的材料パラメータを既存の文献から採用した。MOSFET構造と材料構成は最も最近の技術ロードマップによって示唆された高度な論理技術を図ったことである。非常に少量を用いた浮遊体を持つUTB MOSFETのC-V特性を詳細に調べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *電圧 ,  量子論 ,  短チャネル効果 ,  MOS構造 ,  *酸化物 ,  チャネル ,  *シミュレーション ,  絶縁材料 ,  ケイ素 ,  MOSFET ,  *半導体 ,  電気的性質 ,  信頼性 ,  絶縁体
準シソーラス用語： TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 金属-酸化物-半導体(MOS)コンデンサ ,  容量-電圧(C V)特性 ,  フローティングボディMOSFET ,  超薄ボディ(UTB) ,  シリコン-オン-インシュレータ(SOI) ,  デバイス物理学

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  電圧特性 ,  シミュレーション ,  研究