文献

J-GLOBAL ID：201702210430160181   整理番号：17A0850689

酸素取込による半導性BaSi_2膜の増強されたスペクトル応答【Powered by NICT】

Enhanced spectral response of semiconducting BaSi₂ films by oxygen incorporation

著者 (5件)： Du Weijie (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Mathematics & Science College, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China) ,  Takabe Ryota (Faculty of Pure and Applied Sciences, Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Yachi Suguru (Faculty of Pure and Applied Sciences, Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Toko Kaoru (Faculty of Pure and Applied Sciences, Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Suemasu Takashi (Faculty of Pure and Applied Sciences, Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 629  ページ： 17-21  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光応答特性に及ぼすBaSi_2膜へのO原子の導入の影響を調べた。高いO濃度BaSi_2膜はより高い光応答性を示した。飛行時間二次イオン質量分析測定は,O原子はBaSi_2膜に分布し,それらは主に粒界周辺に位置するであろうという著者らの予測とは対照的に均一であることを示した。第一原理計算は,O原子が4cサイトよりもむしろ置換サイトとして知られている格子間位置を占有することを明らかにした。さらに,禁制バンドギャップ,BaSi_2に取込まれたO原子は不活性であることを示している内に局在状態を生成しなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 応答特性 ,  *酸素 ,  バンドギャップ ,  *半導性 ,  局在状態 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  TOF-SIMS ,  光応答 ,  *スペクトル応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 太陽電池 ,  酸素 ,  効率 ,  半導性けい化物 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素 ,  取込 ,  半導性 ,  増強 ,  スペクトル応答