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J-GLOBAL ID：201702210485622365   整理番号：17A0619926

二硫化タングステンの超薄二次元半導体ナノシートを作製するための有効な液相剥離手法

An effective liquid-phase exfoliation approach to fabricate tungsten disulfide into ultrathin two-dimensional semiconducting nanosheets

著者 (2件)： JHA Ravindra (Indian Inst. Technol., West Bengal, IND) ,  GUHA Prasanta Kumar (Indian Inst. Technol., West Bengal, IND)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 12  ページ： 7256-7268  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WS₂ナノシートをアセトンと水の混合液を用いた凍結支援液相剥離の方法で作製した。収率は2.7%で,この数字はナノシートの大量生産のためには十分な値である。この方法を比較するために異なった溶媒での剥離を行った。この方法は新奇な液体剥離技術で,異なる材料の懸濁液を混合させるだけで,ナノ複合材料やハイブリッド薄膜を作製する場合にも応用できる。作製したナノシートは低沸点溶媒中での剥離であることから清浄で,ナノエレクトロニクス,光エレクトロニクス,ガス検出等に使用可能である。

シソーラス用語： *タングステン化合物 ,  *多硫化物 ,  *ナノシート ,  半導体 ,  懸濁液 ,  ナノ複合材料 ,  オプトエレクトロニクス ,  電子技術 ,  ガス検出器 ,  *層間剥離 ,  複合膜 ,  凍結 ,  沸点 ,  溶媒 ,  収率 ,  脂肪族ケトン
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  ハイブリッド膜 ,  *二硫化タングステン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： アセトン

タイトルに関連する用語 (6件)： 二硫化タングステン ,  二次元半導体 ,  ナノシート ,  作製 ,  液相 ,  手法