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J-GLOBAL ID:201702210539813092   整理番号:17A1555187

熱応力とJoule加熱の影響下でのフリップチップはんだバンプとCuピラーバンプ内の弾性場の有限要素計算【Powered by NICT】

Finite-element calculations of elastic fields within flip-chip solder bumps and Cu-pillar bumps under the influences of thermal stresses and joule heating
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: ICEPT  ページ: 569-574  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,有限要素モデルは熱応力とJoule加熱の影響下ではんだとCuピラーバンプ内の弾性場を計算するために開発した。最初に,電位の定常状態方程式を解いて,電場,Joule加熱の影響を決定することである。,温度場はJoule加熱の影響下での熱伝導の定常状態方程式を解いて求めた。最後に,弾性変位は熱応力の影響を受けた準定常Cauchy-Navier方程式を解くことにより決定した。有限要素モデルを用いて,弾性応力を得て,次に,von Mises応力はバンプ内の弾性歪みの大きさを示すために計算した。モデル化の結果は以下のことを示した:(1)外部応力の影響下で,印加した外部応力の同じ大きさ,はんだバンプにおけるMises応力の最大値はCuピラーバンプのそれよりもはるかに高く,さらに,両はんだとCuピラーバンプ内で,せん断応力は引張応力よりも高い最大Mises応力の結果と傾向(2)サービスでのバンプに対し,熱応力が支配的となり,特に低外部応力で,両バンプ内の,Mises応力の最大値は引張応力が増加すると減少し,せん断応力が増加すると増加し(3)Mises応力の最大値は直線的に増加したバンプの平均温度はCuピラーバンプと増加するビットが高いほど,さらに,電流密度の増加は,CuピラーバンプのそれよりもはんだバンプにおけるMises応力の最大値に強い影響を持っている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  固体デバイス材料 

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