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J-GLOBAL ID：201702210981994006   整理番号：17A1546196

Co注入シリコンの急速熱プロセスによって得られた中間バンド材料【Powered by NICT】

Intermediate band materials obtained by rapid thermal process of Co-implanted silicon

著者 (12件)： Yuan Jiren (School of Science, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Yuan Jiren (Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Huang Haibin (Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Deng Xinhua (School of Science, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Deng Xinhua (State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Gong Mingang (School of Science, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Gong Mingang (Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Liu Cuicui (Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Yue Zhihao (Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Gao Chao (Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Zhou Naigen (Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Zhou Lang (Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 209  ページ： 522-524  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中間バンド太陽電池(IBSC)は非常に高い効率限界をもつ新しい光起電素子の一種である。中間バンド(IB)材料は,高性能IBSCを作製するための重要な因子である。シリコンとそれに続く急速熱プロセス(RTP)でCo注入によるIB材料を調製するために調べた。結果は,IBがSi層中に形成されたことに成功したことを示した。IBは,価電子バンドエッジ上約0.3eVに位置している。さらに,不純物相は,試料中の形成されなかった。著者らの結果は,イオン注入とRTP法を併用したIB材料を形成するために有効であることを示した。RTP技術である厚い不純物層を持つIB材料を製造するために有益であり,大量生産のための使用に便利なので,このアプローチは魅力的である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不純物 ,  太陽 ,  イオン注入 ,  *ケイ素 ,  光起電素子 ,  大量生産 ,  *高速度 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： *中間バンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Semiconductors ,  汎関数 ,  太陽エネルギー材料

分類 (4件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  粉末製造  (WC02020M) ,  合成鉱物  (CD01040K) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： CO ,  注入 ,  シリコン ,  プロセス ,  中間バンド