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J-GLOBAL ID：201702211026070097   整理番号：17A0279329

単一材料ゲートと二重材料ゲートの比較研究SOI無接合トランジスタ【Powered by NICT】

Comparative study of single Material gate and Dual Material gate Silicon-On-Insulator Junctionless Transistors

著者 (2件)： Wagaj S.C. (Dept. of Electronics & Telecommunication, JSPM’s Rajarshi Shahu College of Engineering, Tathawade, Pune, India) ,  Chavan Y.V. (Dept. of Electronics & Telecommunication, JSPM’s Rajarshi Shahu College of Engineering, Tathawade, Pune, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISCO  ページ： 272-277  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上の二重材料ゲートシリコン無接合トランジスタ(DMG SOI JLT)を提案した。の特性をシミュレーションに用いたEDAツールを用いた単一材料ゲートシリコンオンインシュレータ無接合トランジスタ(SMG SOI JLT)により実証と比較した。結果は,DMG SOI JLTは絶縁体無接合トランジスタ上の単一材料ゲートシリコンより高い電流駆動能力を持つことを示した。DMG SOI JLTの電位分布は二ゲートの転移を急激な変化を有し,チャンネル中の電場を増進している。チャネル長は,DIBL(ドレイン誘起障壁低下),サブしきい値勾配変化はDMG SOI JLTの最小減少JLTはSMG SOIと比較した。SMG SOI JLTの相互コンダクタンスは,チャネル長20nmの0.25mSが観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電位分布 ,  チャネル ,  絶縁材料 ,  電場 ,  *複合材料 ,  相互コンダクタンス ,  *接合形トランジスタ ,  絶縁体 ,  サブ閾値 ,  ドレイン誘起障壁低下効果
準シソーラス用語： DIBL ,  チャネル長 ,  *比較研究 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  二重材料 ,  研究 ,  SOI ,  接合トランジスタ