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J-GLOBAL ID：201702211048760845   整理番号：17A1447322

グラフェンデバイス集積のための原子層堆積【Powered by NICT】

Atomic Layer Deposition for Graphene Device Integration

著者 (3件)： Vervuurt Rene H. J. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600, MB, Eindhoven, The Netherlands) ,  Kessels Wilhelmus M. M. (Erwin) (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600, MB, Eindhoven, The Netherlands) ,  Bol Ageeth A. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600, MB, Eindhoven, The Netherlands)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 4  号： 18  ページ： ROMBUNNO.201700232  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは,並外れた特性を有する二次元材料,多くの光学および電子デバイスのための興味ある材料にした。これらのデバイスにおけるグラフェンの統合は,しばしばグラフェンの上に薄い誘電体層の堆積を必要とする。原子層蒸着(A LD)は,サブ単分子層厚さ制御を有する超薄,高品質の膜を析出する能力のために,これらの層を堆積させるために選択される方法である。グラフェン上のA LDは,グラフェン上の反応性表面サイトの不足のために挑戦的である。これはグラフェン中に存在する結晶粒界,しわと欠陥サイト上の選択成長をもたらした。本レビューでは,グラフェン上のA LDの均一な堆積を達成するための様々な方法の概要を提示した。各方法の利点と欠点を更なる研究のための機会と一緒にA LDの観点から考察した。A LDプロセス条件の理解とグラフェン上の堆積一様性に及ぼすそれらの影響の最近の進歩を特に強調した。特に,グラフェンの初期特性を維持しながらA LDにより蒸着した誘電体層の品質を改善し,グラフェンのデバイス集積のための重要であろう。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  厚み制御 ,  選択成長 ,  品質 ,  誘電体 ,  反応性 ,  *グラフェン ,  単分子層 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： 高品質 ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子層堆積 ,  dielectrics ,  functionalization ,  グラフェン

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 集積 ,  原子層堆積