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J-GLOBAL ID：201702211088405887   整理番号：17A1459334

(A~3+, Nb~5+)共ドープTiO_2(A=Al,GaおよびIn)における巨大誘電率と電子構造【Powered by NICT】

Giant dielectric permittivity and electronic structure in (A³⁺, Nb⁵⁺) co-doped TiO₂ (A = Al, Ga and In)

著者 (8件)： Tuichai Wattana (Integrated Nanotechnology Research Center (INRC), Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand) ,  Danwittayakul Supamas (National Metal and Materials Technology Center, National Science and Technology Development Agency, Thailand Science Park, Pathumthani 12120, Thailand) ,  Srepusharawoot Pornjuk (Integrated Nanotechnology Research Center (INRC), Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand) ,  Srepusharawoot Pornjuk (Nanotec-KKU Center of Excellence on Advanced Nanomaterials for Energy Production and Storage, Khon Kaen 40002, Thailand) ,  Srepusharawoot Pornjuk (Thailand Center of Excellence in Physics, Commission on Higher Education, Bangkok 10400, Thailand) ,  Thongbai Prasit (Integrated Nanotechnology Research Center (INRC), Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand) ,  Thongbai Prasit (Nanotec-KKU Center of Excellence on Advanced Nanomaterials for Energy Production and Storage, Khon Kaen 40002, Thailand) ,  Maensiri Santi (School of Physics, Institute of Science, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima 30000, Thailand)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： S1  ページ： S265-S269  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固相反応法により作製した(A~3+, Nb~5+)共ドープTiO_2(A=Al,GaおよびIn)セラミックの誘電特性を調べた。=Al,Gaと焼結(A~3+, Nb~5+)共ドープTiO_2セラミックスは緻密なセラミック微細構造で見出された。内部障壁層と表面障壁層コンデンサ効果に加えて,特定領域で電子ピン止めされた欠陥双極子の形成は,おそらく異なるA~3+ドーパント(A=Ga,In)をドープしたこれらの共ドープTiO_2セラミックの誘電応答に影響を及ぼす可能性がある。すべての焼結セラミックスは10~3 10~4と低損失正接(1kHzでtanδ≒0.05)の範囲の巨大誘電率を示した。これらの材料の大きな誘電率の原因を理解するために,密度汎関数理論に基づく理論的モデル化を行った。計算結果は三角形A_2V_OTi(V_O=酸素空格子点)のはGa及びIn(A~3+, Nb~5+)共ドープTiO_2で見出されたことを明らかにした。2NbドープTiO_2のダイヤモンド形状は最も好ましい構成であることが観察された。これらの形状は,この構造における大きな欠陥双極子クラスタを生成する場合があり,従って,誘電率は劇的に改善された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電性 ,  アルミニウム ,  コンデンサ ,  焼結 ,  *ドーピング ,  固相反応 ,  *誘電率 ,  微細構造 ,  *インジウム ,  *ガリウム ,  ドーパント ,  セラミック
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  欠陥双極子 ,  バリア層 ,  *巨大誘電率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ルチルTiO_2 ,  巨大誘電率 ,  インピーダンス分光法 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  Ga ,  巨大誘電率 ,  電子構造